Snapdragon 835 техпроцесс. На службе виртуальной реальности

Компания Qualcomm анонсировала выпуск своего нового флагманского чипсета Snapdragon 835 , перепрыгнув через долгожданный Snapdragon 830. На презентации чипмейкер удивил всех, так как заявил, что производством процессоров SD 835 для Qualcomm займется корейская компания Samsung на своей линии с применением 10 нанометрового технологического процесса FinFET. Использование 10 нм тех. процесса позволит процессору быть на несколько шагов впереди, чем существующие на сегодня решения, как по мощности, так и по минимальному уровню потребляемой энергии.

Производительность

Qualcomm Snapdragon 835 на 27% мощнее и производительнее, чем Snapdragon 821 построенный на базе 14 нм тех. процессора. Также новый чип потребляет на целых 40% меньше заряда батареи, чем его предшественник в одних и тех же задачах. Конечно, сильного буста в автономности смартфонов на базе Snapdragon 835 ждать не стоит, так как многое зависит еще и от дисплея, как самого ресурсоемкого элемента в потреблении заряда батареи телефона.

Quick Charge 4.0

Также новый SoC получит поддержку более продвинутой технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0. Компания сообщает, что аккумулятор средней емкости (3000 мАч) будет заряжаться до 50% за 5 минут. Всего пять минут требуется QC 4.0, чтобы обеспечить смартфону 5 часов работы, это очень полезная фишка и отличительная черта . По сравнению с Quick Charge 3.0 обновленная QC 4.0 на 20% быстрее и на 30 процентов эффективнее заряжает батареи современных смартфонов.

Одной из главных проблем быстрых зарядок является быстрый износ батареи и перегревание корпуса во время заряда. Благодаря применении технологии INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), процессор Snapdragon 835 будет отслеживать температуру и регулировать скорость зарядки. Также стоит отметить, что этот стандарт совместим не только с micro USB но и с новыми портами USB Type-C.

Характеристики Snapdragon 835

• количество ядер: 8 ядер Kryo 280 CPU
• графическая система Adreno 540 GPU
• максимальная тактовая частота — 2.45 ГГц
• минимальная тактовая частота — 1.9 ГГц
• тех. процесс 10 нм FinFET
• быстрая зарядка Quick Charge 4.0
• X16 LTE модем с поддержкой Cat.6 LTE
• новейший Bluetooth 5.0
• поддержка USB-C Power Delivery

Первые смартфоны на базе Snapdragon 835 мы увидим в 2017 году. Не исключено, что образцы появятся на выставке MWC 2017.

После обзора Samsung Galaxy S8+ был смысл детальнее изучить работу нового чипа, пусть на это и было выделено совсем немного времени и протестировать все то, что было намечено, не получилось. Тем не менее, некоторые выводы можно сделать уже сейчас.

реклама

Напомню, мы уже рассматривали нюансы работы SoC MediaTek Helio X20 , Xiaomi Surge S1 и Qualcomm Snapdragon 820 . Надо отметить, что топовая модель получается у компании Qualcomm через раз: Snapdragon S4 Pro грелся сильно и был не сильно производительным в отрыве от конкурентов; Snapdragon 800 грелся не меньше, но обладал весьма неплохой производительностью, которая позволяла забыть про микролаги интерфейса начиная с Android 4.4.

После нескольких непопулярных модификаций вышел крайне неудачный Snapdragon 810 с асимметричными ядрами, горячим нравом и высоким энергопотреблением, а вот последователь , вернувший нормальную схему работы ядер, оказался весьма удачным чипом. Вот такая «зебра» получается.

Теперь же у нас на обзоре , который снова возвращается к восьмиядерной компоновке, но совмещает два модуля с «крупнокалиберными» ядрами доработанной архитектуры Kryo 280. Впрочем, стоит взглянуть на технические характеристики и все встанет на свои места.

Обзор android-смартфона Sony Xperia XZ Premium: консервативный флагман Ни для кого не секрет, что в тренды рынка выбились «безрамочные» смартфоны, вытянутые дисплеи и двойные камеры. Но тут выходит Sony и продвигает свои ценности: строгий «антиобмылочный» дизайн, безумное слоу-мо и все тот же 4К экран. Но что самое интересное, несмотря на такую смелость и попытку идти против течения, новинку восприняли очень тепло. В чем же тут дело? Попытаемся разобраться.

Обзор android-смартфона Xiaomi Mi6: уже полноценный флагман? Мало кто не слышал о Xiaomi и ее смартфонах. Представители линейки Redmi считаются чуть ли не идеальными бюджетными аппаратами, а концептуальный Xiaomi Mi Mix буквально влюбил в себя всех ценителей оригинального. Прошлые флагманы, Xiaomi Mi5 и Mi5S, снискали положительные отзывы, но даже самые удачные модели со временем устаревают. Новинку ждали многие, о ней ходило множество слухов…

Обзор android-смартфона Samsung Galaxy S8+ на Snapdragon 835 и с 6 ГБ ОЗУ Обычный Galaxy S8+, доступный на нашем рынке, основан на Exynos 8895, оснащен 4 Гбайт оперативной памяти и доступен в черном, фиолетовом и золотистом исполнении. Его тесты, наверное, уже не раз встречались вам. Но мы нашли для вас кое-что поинтереснее в виде другой версии, представленной на некоторых рынках. Как насчет флагмана на Snapdragon 835 и с 6 Гбайт ОЗУ, да еще и в синем цвете?

реклама

Технические характеристики

Параметр / Модель	Snapdragon 835			Snapdragon 805
Количество ядер	8	4	4 + 4	4
Архитектура	Kryo 280	Kryo	Cortex-A57 + A53	Krait 450
Частота работы CPU	4 x 2.45 ГГц + 4 x 1.9 ГГц	2 x 2.15 ГГц + 2 x 1.6 ГГц	4 x 2.0 ГГц + 4 x 1.44 ГГц	4 х 2.7 ГГц
Схема работы ядер CPU	-	-	big.LITTLE (GTS)	-
Техпроцесс	10 нм FinFET LPE	14 нм FinFET LPP	20 нм HPm	28 нм HPm
GPU	Adreno 540	Adreno 530	Adreno 430	Adreno 420
Частота работы GPU, МГц	710	624	650	600
ОЗУ	LPDDR4X	LPDDR4	LPDDR4	LPDDR3
Количество каналов ОЗУ	2 x 32 (64 бит)	4 x 16 (64 бит)	2 (32 бит)	2 (64 бит)
Частота работы ОЗУ, МГц	1866	1866	1600	800
Теоретическая ПСП, Гбайт/с	29.8	29.8	25.6	25.6

Помимо восьми ядер новинка получила новый GPU, более энергоэффективную память LPDDR4X и передовой техпроцесс 10 нм силами Samsung. Если присмотреться внимательнее, станет очевидно, что изменений относительно предшественника не так много, архитектура ядер сильно не изменилась, пропускная способность памяти тоже.

Остается надежда на возросшее количество ядер и передовой техпроцесс, который должен позволить задействовать все эти мощности, уложившись в TDP.

Знакомство

В обзоре Snapdragon 820 мы сетовали на невысокую скорость работы чипа в расчете на один поток, которая не сильно увеличилась даже по сравнению с крайне неудачным Snapdragon 810.

Если взять для примера тот же GeekBench 4, то можно увидеть, что новинка мало исправила это положение. В то время как чипы Apple эволюционируют довольно равномерно, прибавляя как в скорости работы с одним потоком, так и при многопоточной нагрузке,…

… в мире Android все не так просто. Да, уже сейчас многие приложения умеют работать с более чем двумя потоками, но пренебрегать скоростью работы с одним потоком вычислений неразумно, поскольку это напрямую влияет на плавность работы гаджета.

Другое дело – GPU. Тут производительность существенно повысилась, особенно в высоких разрешениях и при использовании «свежих» API. Если не учитывать троттлинг, то такую пиковую производительность применить толком и негде, и остается надеяться на скорое развитие VR/AR проектов, в которых такая мощность может быть к месту.

Qualcomm Snapdragon 835 — новый процессор, который был представлен на выставке CES 2017. Чипсет построен на новом 10 нм техпроцессе от Samsung, на 20% более производительнее и на 35% меньше своего предшественника — Snapdragon 821 (который являлся лишь разогнанной версией 820 модели). Камень получил множество серьезных доработок и, судя по всему, задаёт новый уровень мощности современных мобильных устройств 2017 года. Обзор и характеристики Snapdragon 835 в статье далее.

Qualcomm Snapdragon 835 — обзор

Новый процессор имеет восемь ядер и построен на архитектуре Kryo 280. Чип создан для топовых моделей смартфонов, планшетов, ноутбуков, дисплеев виртуальной реальности, iP-камер и прочих современных устройств под управлением таких ОС как Android и Windows 10 (поддержка x86). Ожидается, что благодаря новинке работа с мультимедийными потоками будет более эффективной и быстрой. Это касается как видео (всесторонняя поддержка 4K), так и фото (поддержка двойных камерных модулей до 16 MP каждый или одного с матрицей разрешением до 32 MP). Кроме того, Snapdragon 835 будет работать с последней версией турбо-зарядки Quick Charge 4.0, которая на 20% быстрее предыдущей версии.

• восемь ядер: 4 ядра с частотой 2,45 ГГц и кэшем 2 МБ, 4 энергоэффективных ядра с частотой 1,9 ГГц и 1 МБ кэша. Именно 80% всей работы будет выполнять энергоэффективный кластер ядер
• прирост мощности на 20%, на 25% энергоэффективнее и на 35% меньше по габаритам по сравнению с 821 моделью
• обновленное графическое ядро Adreno 540
• дополнительный чип для обработки изображений Qualcomm Spectra 180
• полная поддержка 4K
• поддержка нового стандарта оперативной памяти LPDDR4x. Частота 1866MHz
• поддержка систем виртуальной реальности, в том числе Google Daydream
• беспроводные стандарты: Bluetooth 5.0, LTE X16, 2×2 802.11ac Wave-2 + 802.11ad Multi-gigabit Wi-Fi
• Quick Charge 4.0

В 2017 году Qualcomm собирается изменить обычный порядок нумерации своих процессоров и выпустить сразу Snapdragon 835 вместо Snapdragon 830, как предполагалось ранее.
Не исключено, что Snapdragon 830 также будет выпущен, но как младшая версия флагмана и с рядом даунгрейдов.
У Snapdragon 820 такое тоже было, но не афишировалось: первым в продажу поступила модификация чипа MSM8996 Lite с пониженной до 1800МГц частотой ядер верхнего кластера, а следом за ней уже был выпущен полноценный Snapdragon 820 MSM8996 с частотой 2,15ГГц.

Различия также коснулись частоты графического сопроцессора и шины памяти LPDDR4, которая в Lite версии была понижена до 1333МГц. На облегчённом 820-м вышли первые партии Xiaomi Mi5 и народ с удовольствием разобрал их, даже не вникая в столь тонкие детали. Что удивительно, Snapdragon 821 также есть в двух версиях с разными топовыми частотами и, например, Xiaomi Mi5S работает на облегчённом Snap821, а Mi5S Plus — на нормальном, с частотой верхнего кластера 2,34ГГц.

Технические характеристики процессора Snapdragon 835

• код модели MSM8998
• техпроцесс 10нм Samsung FinFET
• ядра Qualcomm Kryo 280, состав: 4 ядра до 2,45ГГц + 4 ядра до 1,9 ГГц
• память LPDDR4X 1866МГц, двухканальная
• GPU Adreno 540, поддержка DirectX 12, OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0 Full, Vulkan API, частота 710МГц
• Сигнальный процессор Hexagon 682 DSP с технологией All-Ways Aware
• Image-процессор Spectra 180 ISP (2 ISP), 14-битный, поддержка двойной камеры по 16МП или одиночной на 32МП. Гибридный автофокус, оптический зум, распознавание лиц, запись HDR видео
• запись видео до 4К на 30FPS, вопроизведение до 4К 60FPS, поддержка кодеков H.264, H.265 и VP9
• поддержка разрешения экрана устройства до 4К, внешнего дисплея — также до 4К, 60FPS, глубина цвета 10 бит
• формат внутренней памяти — UFS2.1 Gear3 2L, поддержка карт памяти формата SD 3.0 (UHS-I)
• модем Qualcomm X16 LTE — категории LTE cat.16 / cat.13. Скачивание с агрегацией частот 4х20МГц, пиковая скорость 1Гбит/с. Аплоад с агрегацией частот 2х20МГц, скорость до 150Мбит/с, поддержка VoLTE, Ultra HD Voice (EVS), CSFB to 3G и 2G, дополнительный чип Qualcomm RF360 для распознавания редких операторских частот
• Стандарты Wi-Fi 802.11ad, 802.11ac Wave 2, 802.11n, 802.11a/b/g, частоты 2,4ГГц, 5ГГц, 60ГГц, пиковая скорость 867Мбит/с, конфигурация MIMO 2×2 (2 потока)
• Bluetooth 5.0
• поддержка систем геопозиционирования GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
• Система безопасности Qualcomm Heaven Security
• Технология зарядки Qualcomm QuickCharge 4.0, позволяющая зарядить батарею до 50% всего за 15 минут
• Сниженный нагрев в связи с переходом на более тонкий техпроцесс и понижением общего энергопотребления, полное отсутствие троттлинга
• Производительность по тесту Антуту — 181118 балла (скрины ниже)
• Цена высокая, класс устройств на процессоре Snapdragon 835 — топовые флагманы 2017 года

Qualcomm Snapdragon 835 описание и обзор

Процессор в итоге получился 8-ядерный, хотя ранее ходили слухи, что Qualcomm может оставить топовое решение на прежнем уровне технологий, что и Snapdragon 820, то есть с 4 ядрами в двух кластерах по два. Переход на более тонкий техпроцесс с одновременным повышением частоты обоих кластеров должен сыграть значимую роль в увеличении производительности и этого хватит для успешной конкуренции в 2017 году. Изменения в большей степени коснутся внутренней архитектуры чипа и особенностей его составляющих.

Техпроцесс 10нм

Более тонкий техпроцесс — это проектные нормы 10нм, достигнутые на фабриках Samsung. Почему Qualcomm вдруг изменил давнему партнёру TSMC и переметнулся к Самсунгу — не совсем понятно: Тайваньский TSMC уже тестирует переход на 10нм на новой фабрике Fab15b на Тайване и уже получил несколько заказов, но, судя по всему, не получит главный заказ 2017 года от Qualcomm. Почему повезло Самсунгу? Видимо, благодаря успехам его последнего чипа Exynos 8890 с ядрами M1, который показывал производительность, близкую к Snapdragon 820. Плюс у Самсунга плохо идут дела после провала Galaxy Note 7 и он готов идти на серьёзные уступки в переговорах. Поэтому новый процессор куалком будет выполнен на базе техпроцесса Samsung 10nm FinFET, что позволит увеличить эффективную площадь поверхности на 30%, производительность на 27%, а энергопотребление снизить на целых 40%!

С высокой вероятностью первые партии процессоров будут использовать техпроцесс 10nm LPE — Early Edition, и только спустя полгода, когда микроэлектронное производство Samsung наберётся опыта производства на новом техпроцессе, произойдёт переход на 10nm LPP — Performance edition, который будет более эффективным и производительным. Он уже будет реализован в новом поколении процессоров или на апгрейде 835-го снапдрагона.

Графический сопроцессор Adreno 540

Qualcomm Snapdragon 835 оснащён графическим чипом Adreno 540, лишь на один шаг превосходящим прошлогодний Adreno 530, использованный в Snapdragon 820 и Snapdragon 821 . Структура графики Adreno сильно отличается от GPU Mali или PowerVR и вместо нескольких выделенных ядер имеет большое число ALU — арифметико-логических единиц, обрабатывающих графику. Актуальный GPU Adreno 530 имеет 256 ALU, суммарная производительность которых достигает 500 ГигаФлопс. Для сравнения, Mali T880 имеет производительность 30,6 Гигафлопс на ядро, то есть в максимальной конфигурации с 12 ядрами имеет производительность около 370 GFLOPS. В новом Adreno 540 частота ядер будет установлена на уровне 670МГц, а сам сопроцессор будет обладать поддержкой всех вышедших технологий (OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan API 1.0, Direct3D 12.1), при этом нас ждёт точно такой же тонкий 10нм техпроцесс и пониженное энергопотребление, как и у вычислительных ядер.

Также новый чип перейдёт и на новую технологию памяти LPDDR4X. Параметры новой памяти пока достоверно неизвестны. Можно предположить, что она будет работать на шине 2000МГц или 2133МГц и иметь пропускную способность 32 Гигабит/с или 34,1Гбит/с соответственно. Разрядность шины, скорее всего, останется прежней и будет четырёхканальной 16-битной, то есть в сумме 64-битной.

Модем Qualcomm X16

Важные перемены произойдут с модемом флагманского чипа. Qualcomm X12, работавший с LTE Cat.12, уже неактуален, так как реализован у большинства конкурентов в их флагманских решениях 2016 года: Exynos 8890, и ожидаемый в конце 2016 / начале 2017 Helio X30 от Медиатек. Нужно переходить к более высоким скоростям и поэтому в Snapdragon 835 будет реализован новый модем Qualcomm X16 с поддержкой сетей LTE Cat.16 со скоростью скачивания до 980Мбит/с. Увы, полноценная поддержка таких сетей в России появится очень нескоро и оценить всю прелесть их работы можно будет разве что в тестовых лабораториях связи где-нибудь в наукоградах. Зато, благодаря поддержке большего числа диапазонов, скорость обычного 4G LTE может стабилизироваться и приблизиться к своей пиковой отметке в данном регионе. Для Москвы, Санкт-Петербурга и ряде крупных городов это 300Мбит/с, для большинства населённых пунктов в регионах — 150Мбит/с.

DSP Qualcomm Hexagon

Обновился и Цифровой сигнальный процессор, в чипе реализована его новая версия Hexagon 682. Он получил некоторое обновление своих функций и повысил рабочую частоту до 600МГц на поток. При сохранении четырёх потоков получим рабочую частоту 2400Мгц. DSP Hexagon — это третье специализированное устройство на плате чипа Qualcomm после CPU и GPU. Он отвечает за обработку изображений и видео в реальном времени, машинное обучение и распознавание голоса. Эти задачи почти полностью перекладываются на энергоэффективный DSP, высвобождая процессорное время и значительно сокращая энергопотребление смартфона.

Быстрая зарядка Qualcomm QuickCharge 4.0 и её особенности

Важное дополнение, о котором говорили на презентации 17 ноября 2016 — это новый протокол быстрой зарядки Qualcomm QuickCharge 4.0, который позволит зарядить батарею до 50% ёмкости за 15 минут, а за пять минут даст столько махов, что их хватит на пять часов работы смартфона.

Однако, QuickCharge 4.0 это не только выше скорость заряда, это ещё и ряд полезных технологий и их улучшений с прошлой версии

1. технология AICL — Automatic Input Current Limit — автоматическое ограничение входящего тока
2. технология APSD — Automatic Power Source Detection — автоматическое определение источника питания
3. технология HVDCP++ — High Voltage Dedicated Charging Port — выделенный порт для зарядки с повышенной мощностью
4. технология Dual Charge++ — технология параллельной зарядки. Процесс зарядки ускорен на 20%, его эффективность повысилась на 30%, температура снижена на 5 °C в сравнении с Dual Charge+ из Quick Charge 3.0
5. технология INOV 3.0 — Intelligent Negotiation for Optimum Voltage — умная регулировка оптимального напряжения заряда, третье поколение
6. Battery saver technologies 2.0 — второе поколение технологии, направленной на сохранение ёмкости и работоспособности батареи
7. USB-PD Support — соответствие стандарту USB-Power Delivery, строго рекомендованному гуглом для всех устройств на Android 7.0
8. Cable Quality detection — проверка повреждения кабеля

Qualcomm Quick Charge 4.0 получился безопаснее предшественника за счет увеличения степеней защиты. Технология имеет три уровня борьбы с подачей слишком большого напряжения и силы тока, а также четыре уровнями проверки температуры, а встроенная система проверки качества кабеля просто не даст устройству заряжаться в случае плохого соединения!

Snapdragon 835 производительность в тестах AnTuTu и GeekBench

С выходом первых реальных устройств на Snapdragon 835 vs получили и первые реальные тесты производительности чипа. Представленные до официального релиза скрины не вызывали большого доверия, поэтому мы размещаем только показатели известных и общепризнанных моделей.

Другие рекорды производительности:

• Apple A10 (iPhone 7 Plus) — 184546 баллов
• Snapdragon 821 (OnePlus 3T) — 162297 баллов

В видеообзоре Xiaomi Mi6, сделанном в официальном магазине Сяоми, получены результаты теста GeekBench 4: 2028 баллов в одноядерном тестировании и 5810 баллов в многоядерном.

Результаты высокие, но не топовые на рынке.

Приведём сравнительную таблицу с результатами тестов Geekbench наиболее популярных смартфонов 2016 года:

Смартфон, процессор	Одноядерный тест	Многоядерный тест
Xiaomi Mi6, Snapdragon 835	2028	5810
Xiaomi Mi5, Snapdragon 820	2238	5174
Galaxy S6 Edge, Exynos 7420	1475	5004
Galaxy S7 Edge, Exynos 8890	2109	6173
LeEco Le Pro 3, Вы можете закрыть это надоедливое сообщение, щёлкнув по крестику в углу ИСКЛЮЧИТЕЛЬНАЯ ЧЕТКОСТЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ Запечатлейте мир во всей его красоте благодаря основной камере с высоким разрешением. Основной объектив 48 MP позволит вам снимать максимально четкие фотографии, на которых можно рассмотреть все до мельчайших деталей. ЗА ГРАНЬЮ РЕАЛЬНОСТИ Технология масштабирования фото без потери качества превращает основной 48 MP объектив камеры Honor 20S в мощный телеобъектив. Вы сможете получить качественные фотографии отдаленных объектов, сравнимые со снимками на объектив с двукратным оптическим Zoom. ЯРКИЕ Selfie В ЛЮБЫХ УСЛОВИЯХ 20S оснащен фронтальной камерой флагманского качества с поддержкой режима ночной съемки на базе искусственного интеллекта. Уникальный алгоритм, созданный Honor, делает ваши фотографии поразительно четкими и детализированными даже при съемке ночью. ВАШ ПОМОЩНИК В ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ ФОТОСЪЕМКЕ Снимайте удивительные фотографии с технологией распознавания сценариев съемки на базе искусственного интеллекта. Фронтальная камера Honor 20S в режиме реального времени распознает 8 категорий сценариев, а основная камера — 22 категории. Настройки цвета, яркости и контрастности устанавливаются автоматически, и снимок получается максимально качественным. ПРОСТОР ДЛЯ КРЕАТИВНОСТИ Новый без рамочный экран Honor 20S с темной областью каплевидной формы вмещает больше контента. Яркий экран 6,15 дюйма с разрешением Full HD+ позволит вам почувствовать все краски жизни. Кроме того, режим защиты зрения снизит нагрузку на ваши глаза при длительном использовании смартфона. Qualcomm – компания, являющаяся доминирующим производителем на рынке мобильных процессоров. Вытеснив конкурентов в лице Intel и Nvidia, бренд, по сути, остался монополистом в сегменте высокопроизводительных чипсетов, поскольку второй заметный игрок – MediaTek, удерживает позиции в бюджетной и средней ценовой категории, тогда как практически все флагманские смартфоны выпускаются на чипах Snapdragon. Snapdragon 835 – новый топовый процессор от Qualcomm, представленный на выставке CES 2017. Достоверное известно, что на нем будут выпущены такие флагманы 2017-года как Xiaomi Mi6, Samsung Galaxy S8, LG V30 и SONY XZ. Производство нового снапдрагона осуществляется на мощностях компании Самсунг, это однокристальная архитектура, выполненная по 10-нм технроцессу. Snapdragon 835 базируется на 8 ядрах собственной разработки Qualcomm – Kryo 280: используются 4 высокопроизводительные ядра с тактовой частотой 2.45 ГГц (2 МБ кеша) и 4 энергоэффективных ядра на 1.9 ГГц (1 МБ). По заявлениям Qualcomm, в новом чипсете реализована продвинутая система распределения задач. Так, с целью экономии энергопотребления, при соответствующей нагрузки из работы будет выключаться не только высокопроизводительный кластер ядер и графический ускоритель, но и сигнальный процессор Hexagon 680. На службе виртуальной реальности В качестве графического ускорителя используется новейшая разработка Adreno 540 (тактовая частота 650 МГц, производительность до 520 гигафлопс), которая обеспечит поддержку DirectX-12, Vulkan и OpenGL. На презентации было акцентировано внимание на то, что Snapdragon 835 заточен под потребности систем виртуальной реальности. Он призван решить одну из основных проблем VR на нынешней стадии развития – сильный нагрев смартфонов с 4К экраном при использовании в очках виртуальной реальности и неудовлетворительное качество картинки даже при наличии максимального разрешения экрана. Snapdragon 835 имеет поддержку 4K Ultra HD и HDR-10 (10-битная цветопередача), таких экранов на рынке пока что очень мало и один из первых из них можно увидеть в недавно анонсированном флагмане LG G6. Также с целью улучшить VR-опыт 835 дракон оснащен продвинутым набором датчиков (акселерометр+гироскоп), полноценно отрабатывающим шесть степеней свободы (6DoF – отслеживание перемещения по 6-ти векторам пространства). Останутся довольны и любители качественного звука, новый чипсет поддерживает обработку Hi-Res аудио с частотой до 384 КГц / 32 бита и кодек aptX HD Bluetooth, позволяющий осуществлять беспроводной вывод аудиопотока по интерфейсу Bluetooth без потери звуковой информации. Лучшее качество связи и безопасность В новинке реализован топовый LTE-модем компании – X16. На презентации было объявлено, что он способен развивать скорость загрузки данных до 1 ГБ/сек, что на практике обеспечивает возможность беспроблемного онлайн-просмотра 4К-фильмов либо их очень быстрой загрузки (100 ГБ за 13 минут). Однако стоит учитывать, что скорость обмена данными в большей степени будет зависеть от вашего мобильного оператора, и просто лишь наличие смартфона на 835 драконе не обеспечит вам обещанные 1 ГБ/с. Также в чипсет интегрирован двухполосный Wi-Fi модем поддерживающий работу в сетях 802.11ас и 802.11ad, при этом предусмотрена возможность горячего переключения трафика между Wi-Fi и LTE. Приятный бонус – технология Qualcomm Haven, обеспечивающая поддержку сканеров отпечатков пальца и сетчатки глаза либо лица целиком. Продвинутые фото-возможности Одно из самых интересных новшеств Snapdragon 835 – наличие выделенного процессора для обработки изображений под названием Spectra 180. Потенциально эта технология способна вывести мобильную фотографию на новый уровень, так как теперь смартфоны научатся записывать 14-битный цвет, чем ранее могли похвастаться только топовые зеркальные фотоаппараты. Новый чипсет обеспечит поддержку камер с разрешением до 32 МП (один модуль) либо двух модулей на 16+16 МП. Кстати, производители получат возможность приобрести процессор с уже предустановленными камерами: на выбор им предлагается 835-дракон с модулем Sony IMX298, двумя модулями реализованными по технологии Huawei (цветной+монохромный) или двумя модулями как у Apple (широкоугольный+телевик, возможность оптического зума). Производительность и энергоэффективность Согласно маркетинговым заявлениям, Snapdragon 835 будет превосходить предшественника в лице 821 на 27% по части производительности и на 40% по энергоэффективности. До тех пор, пока не выйдет первый смартфона на новом чипсете, делать какие-либо выводы опрометчиво, но в сети уже всплывали скриншоты теста GeekBench где смартфон Xiaomi Mix EVO набрал 6223 баллов в многоядерном и 2005 баллов в одноядерном режиме. Результат в AnTuTu Benchmark на неизвестном смартфоне – 180 тыс. баллов.